一种裸硅封装MOS管
公开
摘要
本发明公开了一种裸硅封装MOS管，包括基板、陶瓷座、MOS管的主体、定位结构、调节座结构以及快速固定结构，所述陶瓷座固定安装于基板的上端表面处，所述陶瓷座的上端表面处开设有两个定位槽，所述主体通过定位结构安装于陶瓷座的上端表面处，且所述定位结构与定位槽连接，所述陶瓷座的上端表面横向开设有两道调节槽，所述陶瓷座的上端表面处开设有一个螺纹槽，所述调节座结构活动安装于陶瓷座上端表面的两道调节槽处，所述快速固定结构安装于调节座结构处，且所述快速固定结构与定位结构连接。本发明在封装安装MOS管时，操作简单，省时省力，大大提高了工作效率，且封装安装后的MOS管稳定性较高，整体实用性较高。
基本信息
专利标题 ：
一种裸硅封装MOS管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512451A
申请号 ：
CN202111568229.1
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2021-12-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
涂振坤苗义敬王泽斌
申请人 ：
普森美微电子技术（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区唯亭双马街126号2幢2楼
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202111568229.1
主分类号 ：
H01L23/32
IPC分类号 ：
H01L23/32 H01L23/13 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/32
用于支承处于工作中的完整器件的支座，即可拆卸的夹紧装置
法律状态
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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