一种柔性方硅阵列探测器及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种柔性方硅阵列探测器及其制备方法，柔性方硅阵列探测器包括集成电路板和柔性方硅阵列，集成电路板上设置有高能粒子感应元件，高能粒子感应元件位于集成电路板和柔性方硅阵列之间，高能粒子感应元件与柔性方硅阵列中的方硅芯片的位置重合，探测器中的柔性方硅阵列采用“岛‑桥”结构，使探测器能紧密包覆在电子器件上，真正实现对电子器件高能粒子辐射的精确探测。
基本信息
专利标题 ：
一种柔性方硅阵列探测器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420680A
申请号 ：
CN202111592542.9
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李宇航樊宣青陈嘉昀崔馨博
申请人 ：
北京航空航天大学宁波创新研究院
申请人地址 ：
浙江省宁波市北仑区梅山街道康达路三创基地一期7号组团
代理机构 ：
北京中创云知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
肖佳
优先权 ：
CN202111592542.9
主分类号 ：
H01L25/04
IPC分类号 ：
H01L25/04 H01L31/02 H01L31/115 H01L31/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 25/04
申请日 : 20211223
申请日 : 20211223
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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