本发明属于太阳能电池生产制造技术领域，尤其为一种太阳能单晶PERC电池的制备方法,包括以下步骤：清洗、织构、扩散和刻蚀、背面钝化、正背面二氧化硅制膜、正背面氮化硅制膜、激光开槽和正背面电极制备。本发明通过洗涤灵去除单晶硅片表面油渍和污物，再通过氢氧化钠溶液对单晶硅片表面的损伤层轻微腐蚀，这样可降低单晶硅片表面激活能，为碱性腐蚀液腐蚀单晶硅片织构化打下基础，以氨基三乙酸钠盐、碳酰胺和乳酸组成的混合液，对清洗处理的单晶硅片表面进行均匀喷淋，可将混合液粘附于单晶硅片表面，能够有效降低碱性腐蚀液对单晶硅片的腐蚀速度，使得织构化后的单晶硅片能够形成均匀、尺寸较小的金字塔，有利于太阳能吸收。