一种掩模版及光刻机
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种掩模版及光刻机。其中，掩模版包括曝光区域，和环绕在所述曝光区域外的非曝光区域，所述非曝光区域中设置有多个辅助图案，每个所述辅助图案包括多个间隔排列的条纹图形，其中，每个所述条纹图形的线宽小于光刻机的分辨率极限。在利用光刻机对该掩模版进行曝光时，即使存在杂散光会通过掩模版的非曝光区域的现象，然而由于辅助图案中的条纹图形未达到光刻机的分辨率而难以被识别，进而不会将辅助图案映射在晶圆上，从而有效解决光刻机因漏光带来的鬼影问题。
基本信息
专利标题 ：
一种掩模版及光刻机
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114326291A
申请号 ：
CN202111652270.7
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡健徐阳周世均王晓龙郑海昌陈力钧
申请人 ：
上海华力微电子有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区良腾路6号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周耀君
优先权 ：
CN202111652270.7
主分类号 ：
G03F1/38
IPC分类号 ：
G03F1/38
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1/38
具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 1/38
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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