本发明涉及一种用于二极管在片测试的“桥墩式”结构及其制备方法，所述结构包括：设置在硅垫片上的“桥墩式”结构，所述“桥墩式”结构包括两个柱体或台体，用于支撑待测单片电路和在测试时承受探针的压力。所述方法将硅片按照待测单片电路的结构进行光刻图形定义，“桥墩式”结构位置采用光刻胶进行保护，然后按照光刻图形进行深硅刻蚀，将完整厚度的硅片整体刻穿，形成“桥墩式”结构；选择一个完整硅片作为硅垫片，在硅垫片上旋涂一层光刻胶使硅垫片与“桥墩式”结构稳定连接，烘干后通过十字对准结构将单片电路装配在已刻蚀的硅片表面，形成用于二极管在片测试的“桥墩式”结构。本发明改善了单片基板厚度对二极管寄生参数提取的影响。