本发明涉及微纳米制造技术领域，尤其涉及一种在硅基材料内部形成球形空腔的方法和设备，所述方法包括以下步骤：（S.1）采用激光加工的方式，制备具有空腔的硅基材料；（S.2）在热场中置入（S.1）所述中已制备得到的具有空腔的硅基材料，进行热处理工艺；（S.3）在（S.2）所述环境中加入电场，对硅基材料进行诱导成形，完成硅基材料内部球形空腔三维结构。本发明首先将经过激光加工后的硅基材料进行热处理，在经过热处理后，硅材料空腔处的硅原子的原子迁移率大幅提升，然后在加入电场进一步对硅基材料进行诱导成形促使硅基内部三维结构成形，本发明在制备过程中具有简单可控的优点，通过该方法能够有效提升微纳器件的性能表现。