本申请公开了一种三维存储器装置、三维存储器装置的编程处理方法，属于存储技术领域。该方法包括：确定待编程的多个存储器单元层；对多个存储器单元层中包括的多个存储单元执行编程处理；其中，对于任一存储单元执行的编程处理为高态编程处理或低态编程处理，高态编程处理是将任一存储单元的阈值电压编程至第一电压，低态编程处理是将任一存储单元的阈值电压编程至第二电压，第一电压大于第二电压；对于对应存储器单元层相邻、对应存储串相同、且分别对应高态编程处理和低态编程处理的两个存储单元，其中一个存储单元对应的低态编程处理的执行顺序在另一个存储单元对应的高态编程处理之后。采用本申请能够降低编程时产生的层间干扰。