用于非易失性存储器设备的电压产生电路和电子装置
授权
摘要
本公开的各实施例涉及用于非易失性存储器设备的电压产生电路和电子装置。电压产生电路,用于具有存储器阵列的存储器,存储器阵列具有被耦合到相应的字线和局部位线的多个存储器单元,每个存储器单元具有存储元件和选择器元件,双极晶体管被耦合到存储元件,用于在读取或验证操作期间单元电流的选择性流动,以及选择器元件的基极端子被耦合到相应的字线;与每个位线相关联的是具有控制端子的偏置晶体管,并且该电路为该控制端子产生共源共栅电压;驱动级被耦合到每个字线的一端。使用本实用新型提供了一些优点,诸如存储器单元占用的总面积减小,并且所产生的存储器设备的集成密度更高。
基本信息
专利标题 :
用于非易失性存储器设备的电压产生电路和电子装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202120243583.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-01-28
授权号 :
CN216435467U
授权日 :
2022-05-03
发明人 :
M·F·佩罗尼F·E·C·迪塞格尼M·拉帕拉卡C·托尔蒂
申请人 :
意法半导体股份有限公司
申请人地址 :
意大利阿格拉布里安扎
代理机构 :
北京市金杜律师事务所
代理人 :
王茂华
优先权 :
CN202120243583.6
主分类号 :
G11C13/00
IPC分类号 :
G11C13/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C13/00
特征在于使用不包括在G11C11/00,G11C23/00或G11C25/00各组内的存储元件的数字存储器
法律状态
2022-05-03 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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