一种真空蒸发镀膜设备
授权
摘要
本实用新型公开一种真空蒸发镀膜设备，包括真空腔体，所述真空腔体内顶部设有中心回转机构，中心回转机构下端连接有用于放置待镀膜基板的工件盘，真空腔体内底部两侧均设有用于蒸发镀膜材料的蒸发装置，真空腔体内底部中央设有离子源装置，真空腔体内设有加热装置，所述蒸发装置包括电子发生器、罐状水冷机构，罐状水冷机构环绕设于电子发生器外围，工件盘设有温度传感器，真空腔体外设有控制器，控制器分别与温度传感器、罐状水冷机构连接。优点为：可即时将电子发生器多余的辐射热带出，避免基板翘曲等；可根据实时温度控制罐状水冷机构冷水循环，避免温度过高的同时也避免热量浪费；设备特别适用于低温镀膜需求的基板，如小于1mm厚的微纳晶。
基本信息
专利标题 ：
一种真空蒸发镀膜设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122006653.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-08-25
授权号 ：
CN216404520U
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
陶利松
申请人 ：
杭州乾智新材料研究有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区闻堰街道三江汇谷19-1-3
代理机构 ：
浙江千克知识产权代理有限公司
代理人 ：
黎双华
优先权 ：
CN202122006653.9
主分类号 ：
C23C14/30
IPC分类号 ：
C23C14/30 C23C14/54
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/28
波能法或粒子辐射法
C23C14/30
电子轰击法
法律状态
2022-04-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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