一种基于光刻工艺的高基频石英晶片及晶圆
授权
摘要
本实用新型公开了一种基于光刻工艺的高基频石英晶片及晶圆，该石英晶片包括基片、电极焊盘、第一电极和第二电极；基片包括焊盘区、过渡区、振荡区和凹槽区，振荡区的厚度小于焊盘区的厚度，焊盘区和振荡区通过过渡区连接；电极焊盘分别设置于焊盘区两面，振荡区两面分别设有第一电极和第二电极，第一电极、第二电极分别与其同一面的电极焊盘电连接；凹槽区设置于振荡区表面，且环绕于第一电极或第二电极的外周。本实用新型通过减薄振荡区使晶片整体尺寸减小，配合过渡区的斜面结构平顺过渡，使晶片具有更好机械强度；并且在电极外周设置适宜深度的凹槽区，使振荡区部分区域厚度降低，从而能够在保持较好强度的同时更好的适应高频工作。
基本信息
专利标题 ：
一种基于光刻工艺的高基频石英晶片及晶圆
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122215949.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-13
授权号 ：
CN216162688U
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
黄大勇汪晓虎肖扬文张家豪崔婷婷杨飞
申请人 ：
泰晶科技股份有限公司
申请人地址 ：
湖北省随州市曾都经济开发区交通大道1131号
代理机构 ：
武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
柏琳容
优先权 ：
CN202122215949.1
主分类号 ：
H03H9/19
IPC分类号 ：
H03H9/19 H03H9/02 H03H3/02
法律状态
2022-04-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
