提高出光均匀度的紫外发光二极管芯片结构
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摘要
本公开提供了一种提高出光均匀度的紫外发光二极管芯片结构，属于发光二极管领域。p型AlGaN层延伸至n型AlGaN层的凹槽在衬底的表面的正投影呈首尾相连状，在凹槽上层叠的等比例缩小的一次n电极可以围绕在p型AlGaN层的四周。而p型AlGaN层在衬底的表面的正投影的外轮廓呈H形，一次p电极在衬底的表面的正投影为p型AlGaN层在衬底的表面的正投影等比例缩小后得到的图案，减小了需要对发光层进行刻蚀的空间，保证出光位置集中在芯片的中部，且凹槽上层叠的一次n电极将电流从p型AlGaN层的四周导向p型AlGaN层中，电流进入较为均匀。最终可以有效提高得到的紫外发光二极管的出光均匀度。
基本信息
专利标题 ：
提高出光均匀度的紫外发光二极管芯片结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122285302.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-22
授权号 ：
CN216288491U
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
徐盛海刘源张威林凡
申请人 ：
华灿光电（浙江）有限公司
申请人地址 ：
浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吕耀萍
优先权 ：
CN202122285302.6
主分类号 ：
H01L33/20
IPC分类号 ：
H01L33/20 H01L33/38
法律状态
2022-04-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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