一种晶片自动喷洒设备
授权
摘要
本实用新型提供一种晶片自动喷洒设备，所述晶片自动喷洒设备包括机架和安装在所述机架上的上料装置、烘烤装置、喷洒装置、下料装置和传送装置；所述上料装置、烘烤装置、喷洒装置、下料装置均顺序布置在所述传送装置的上方，所述上料装置用于将晶片装载到传送装置上，所述烘烤装置用于烘烤晶片，所述喷洒装置用于将溶液喷洒到晶片上，所述下料装置用于将晶片从传送装置上取下，所述传送装置用于将晶片传送至各工艺段的装置。该设备依照人工喷洒流程及制程要求，可依序自动完成上料、传送、烘烤、喷洒、收料等流程，在提高喷洒量准确度及喷洒均匀性的同时，提高生产效率。
基本信息
专利标题 ：
一种晶片自动喷洒设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122339732.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-26
授权号 ：
CN216413017U
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
郑贤良刘增伟曾柏翔李瑞评郑琳
申请人 ：
福建晶安光电有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市安溪县湖头镇横山村光电产业园
代理机构 ：
北京金咨知识产权代理有限公司
代理人 ：
尤樟华
优先权 ：
CN202122339732.1
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/677
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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