扩散机构及薄膜沉积腔体
授权
摘要
本实用新型为一种扩散机构及薄膜沉积腔体，主要包括一传输管线、一导流单元、一输入管线及一扩散板，其中输入管线经由传输管线连接扩散板。传输管线具有一传输空间，而导流单元则设置在传输空间内，并将传输空间区分为一第一及一第二传输空间。导流单元的上表面具有一凸起部，凸起部的周围环绕设置复数个导流管线，其中导流管线相对于导流单元的上及下表面倾斜。第一传输空间内的气体或电浆经由导流管线输送至第二传输空间，并在第二传输空间内形成漩涡，以在扩散机构的下方形成分布均匀的气体或电浆。
基本信息
专利标题 ：
扩散机构及薄膜沉积腔体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122559189.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-21
授权号 ：
CN216614841U
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
林俊成郭大豪
申请人 ：
天虹科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹县
代理机构 ：
北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
孙皓晨
优先权 ：
CN202122559189.6
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/54
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-05-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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