一种多腔体PVD-RTA混合薄膜沉积系统
公开
摘要
本发明公开了一种多腔体PVD‑RTA混合薄膜沉积系统，包括：输运腔体，其内部设置有机械手；上载腔体，其设置于输运腔体旁，并与输运腔体之间设置有第一真空阀门，且上载腔体与外界直接设置有第三真空阀门；工艺腔体，其包括分布于输运腔体旁的薄膜沉积腔体、刻蚀腔体和真空快速退火腔体，并且工艺腔体与输运腔体之间设置有第二真空阀门，本发明将PVD与RTA结合，使晶圆的薄膜沉积、刻蚀和热处理过程中均在真空中，晶圆不需要接触大气，这样，不仅提高了工艺效率，而且提高了薄膜的性能和质量。
基本信息
专利标题 ：
一种多腔体PVD-RTA混合薄膜沉积系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114561616A
申请号 ：
CN202210057742.2
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-01-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
唐云俊王昱翔
申请人 ：
浙江艾微普科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区双联路129号14幢
代理机构 ：
嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王大国
优先权 ：
CN202210057742.2
主分类号 ：
C23C14/08
IPC分类号 ：
C23C14/08 C23C14/58 C23C14/56 C23C14/35 C23C14/18 C30B29/32 C30B25/02 C30B33/02 C30B33/08
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/06
以镀层材料为特征的
C23C14/08
氧化物
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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