用于集成电路芯片制造的立式低压炉管防结晶结构
授权
摘要
本实用新型涉及用于集成电路芯片制造的立式低压炉管防结晶结构，包括：外管、内管、气体集散装置内罩、气体集散装置、内套管。本实用新型可防止集成电路芯片制造的关键设备立式低压炉管的石英腔体底部温度下降过快，减少现有的立式低压炉管在使用过程中，由于原有排气系统的不合理设计，造成的附加产物氯化铵微颗粒堆积在排气口处，对后续生产的芯片质量和良品率带来的负面影响；可有效地延长机台的定期维护周期，提高产品良品率及炉管设备的正常运行时间。
基本信息
专利标题 ：
用于集成电路芯片制造的立式低压炉管防结晶结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122973456.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-30
授权号 ：
CN216639640U
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
王晓龙
申请人 ：
精典电子股份有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区泰谷路169号C座1层
代理机构 ：
上海容慧专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
于晓菁
优先权 ：
CN202122973456.4
主分类号 ：
C23C16/44
IPC分类号 ：
C23C16/44 C23C16/34
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
法律状态
2022-05-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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