一种高耐压双P型夹层功率PIN肖特基二极管器件
授权
摘要
本实用新型涉及一种高耐压双P型夹层功率PIN肖特基二极管器件，包括衬底、位于衬底上的缓冲层以及依次层叠于缓冲层上的沟道层、势垒层组成的异质结，还包括夹于异质结上下两侧的P‑GaN区域、与P‑GaN区域直接接触并与异质结隔着氧化物介质层的凹陷阳极、阴极、钝化层；其中，沿厚度方向上，凹陷阳极一直延伸至P‑GaN区域之下的缓冲层区域内；沿长度方向上，位于异质结上下两侧的P‑GaN区域都从凹陷阳极的侧面起始并向阴极方向延伸。本实用新型能够克服现有技术中不足，获得低导通电阻、低开启电压、高击穿电压和低泄漏电流，满足了实际应用需求。
基本信息
专利标题 ：
一种高耐压双P型夹层功率PIN肖特基二极管器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123126827.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-13
授权号 ：
CN216354231U
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
尹以安张锡琛毛明华
申请人 ：
迪优未来科技（清远）有限公司
申请人地址 ：
广东省清远市清远高新技术产业开发区创兴大道18号天安智谷科技产业园产业大厦T0218层01号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
许羽冬
优先权 ：
CN202123126827.1
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/06 H01L21/329
法律状态
2022-04-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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