硅片生产用真空箱
授权
摘要
本实用新型公开了一种硅片生产用真空箱，属于太阳能硅片生产设备技术领域。其解决了现有技术中PECVD设备中的三室真空箱存在的飘片缺陷。其主要包括箱体和抽真空机，所述箱体包括箱门，所述箱体内设有三个真空室，箱体在三个真空室的侧壁上分别开设抽气孔，抽真空机分别通过抽真空管连接三个真空室上的抽气孔，三个所述真空室内分别安装挡气板，挡气板通过支撑杆连接环形底座，所述环形底座连接箱体的内侧壁，且抽气孔在环形底座内。
基本信息
专利标题 ：
硅片生产用真空箱
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123164277.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-16
授权号 ：
CN216337942U
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
王明明郭磊牛志楠王强强黄金白焱辉贾慧君
申请人 ：
晋能光伏技术有限责任公司
申请人地址 ：
山西省晋中市山西综改示范区晋中开发区新能源汽车园区广安东街533号
代理机构 ：
山西晋扬知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
张学元
优先权 ：
CN202123164277.2
主分类号 ：
C23C16/44
IPC分类号 ：
C23C16/44 C23C16/50 H01J37/32
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
法律状态
2022-04-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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