一种用蒸镀法制备氧化亚硅的设备
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摘要
本实用新型涉及一种用蒸镀法制备氧化亚硅的设备，包括：在用蒸镀法制备氧化亚硅的设备的外侧设置腔体；在腔体的内部通过石墨棒固定锤，将内炉膛悬空固定在腔体的内部；在内炉膛的内设置石墨桶；采用真空状态下，进行蒸镀，提高其生产效率；同时，采用了石墨桶，由于石墨桶的石墨发热体为面发热，能产生更加均匀热量，使得石墨箱体内的温度过渡更加均匀。有利于氧化亚硅的高纯度凝结，提升生产效率。同时采用石墨作为箱体材料，受热应力能力强，不容易破裂。解决了目前氧化亚硅生产装置由可抽真空的氧化铝陶瓷耐火管组成，存在着生产效率低、反应管极容易破裂等缺点的技术问题。
基本信息
专利标题 ：
一种用蒸镀法制备氧化亚硅的设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123253027.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-22
授权号 ：
CN216712224U
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
安学会程进辉张鹏李迎春高光平倪狄
申请人 ：
上海煜志科技有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区兴文路885号6幢1层D区
代理机构 ：
上海裕创慧成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄裕
优先权 ：
CN202123253027.6
主分类号 ：
C23C14/26
IPC分类号 ：
C23C14/26 C23C14/08
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/26
电阻加热蒸发源法或感应加热蒸发源法
法律状态
2022-06-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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