滤波器用基板的加工方法、基板及TC-SAW滤波器
公开
摘要
本申请提供一种滤波器用基板的加工方法、基板及TC‑SAW滤波器。所述滤波器用基板的加工方法包括：加工具有凸同心圆结构的支撑层衬底；凸同心圆结构中心凸起，包括至少两层圆环结构，圆环结构从所述中心向外高度逐步降低；将支撑层衬底中具有凸同心圆结构的那一侧与压电晶片进行键合得到复合衬底；将复合衬底中的压电层减薄至预定厚度范围内后对其表面进行抛光。本申请利用具有凸同心圆形貌的支撑层衬底，可明显降低压电层的抛光难度，得到厚度基本一致的压电层衬底，从而得到均匀性好的压电层薄膜，进而大幅提高使用该压电层薄膜的滤波器芯片的良率。
基本信息
专利标题 ：
滤波器用基板的加工方法、基板及TC-SAW滤波器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114631260A
申请号 ：
CN202180005885.2
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-09-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林彦甫林仲和杨胜裕枋明辉黄世维
申请人 ：
福建晶安光电有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市安溪县湖头镇横山村光电产业园
代理机构 ：
北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王立红
优先权 ：
CN202180005885.2
主分类号 ：
H03H3/10
IPC分类号 ：
H03H3/10 H03H9/02 H03H9/25
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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