树脂基板的加工方法
公开
摘要
树脂基板的加工方法，能够在抑制工时的增加的同时将树脂基板固定在卡盘工作台上。树脂基板的加工方法具有如下步骤：翘曲形状形成步骤(ST1)，在以使封装的正面与曲面形成用基板的凸面紧贴的方式按压的状态下对封装基板进行加热并进一步冷却，从而在封装基板上形成封装基板的正面侧为凹面的翘曲；载置步骤(ST2)，使封装基板的为凹面的正面以对置的方式载置于卡盘工作台的保持面；吸引保持步骤(ST3)，将由封装基板的翘曲而成为凸面的背面侧的中央附近朝向保持面按压，一边沿着保持面矫正封装基板的翘曲一边利用卡盘工作台对封装基板进行吸引保持；以及加工步骤(ST4)，从被卡盘工作台吸引保持的封装基板的背面侧进行磨削加工。
基本信息
专利标题 ：
树脂基板的加工方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613683A
申请号 ：
CN202011414783.X
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
梅田桂男
申请人 ：
株式会社迪思科
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
于靖帅
优先权 ：
CN202011414783.X
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L21/78 H01L21/687
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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