一种集成电路良率估计方法及存储器
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种集成电路良率估计方法及存储器，所述方法包括：将划分集成电路性能成功区域和失败区域的边界在参数空间公式化，表示为边界面公式化方程；计算所述边界面公式化方程和各个参数轴形成的边界面限定出的空间大小；计算所述边界面公式化方程和各个参数轴形成的边界面限定出的空间大小与各个参数范围形成的空间大小之比，得到估算的良率。采用本发明的技术方案，可以提高集成电路良率的估计效率。
基本信息
专利标题 ：
一种集成电路良率估计方法及存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114330188A
申请号 ：
CN202210006053.9
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-01-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈光赵文鹏范文妍陈全鲍琛白耿
申请人 ：
深圳国微福芯技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田区福保街道福保社区桃花路与槟榔道交汇处西北深九科技创业园2号楼801
代理机构 ：
深圳市康弘知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈贤荣
优先权 ：
CN202210006053.9
主分类号 ：
G06F30/337
IPC分类号 ：
G06F30/337
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/337
设计优化
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/337
申请日 : 20220105
申请日 : 20220105
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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