一种评估半导体模块功率循环能力的方法和半导体模块
实质审查的生效
摘要

本申请涉及一种评估半导体模块功率循环能力的方法和半导体模块,所述方法包括:在待测半导体模块上设置漏极辅助电极和源极辅助电极;对半导体模块进行功率循环测试;通过漏极辅助电极和源极辅助电极获取测试数据,确定源极键合线电阻和焊层电阻;统计各个部分的电阻,获得源极键合线电阻和焊层电阻随功率循环周期的变化关系。本申请的方案将对每颗芯片增加辅助电极,能够以无损方式在线评估芯片键合线及焊层退化现象,得到芯片键合线及焊层电阻随功率循环次数的变化关系;电阻测试与功率循环测试集成,不需要改变原有功率循环测试过程,不影响测试结果。

基本信息
专利标题 :
一种评估半导体模块功率循环能力的方法和半导体模块
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114325288A
申请号 :
CN202210011740.X
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2022-01-06
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
金明星
申请人 :
北一半导体科技(广东)有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市坪山区坪山街道和平社区兰金四路19号华瀚科技工业园厂房2栋345
代理机构 :
北京细软智谷知识产权代理有限责任公司
代理人 :
涂凤琴
优先权 :
CN202210011740.X
主分类号 :
G01R31/26
IPC分类号 :
G01R31/26  H01L23/544  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20220106
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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