面向医疗领域的半导体硅基的混合成像芯片及其制备方法
授权
摘要
本申请提供一种面向医疗领域的半导体硅基的混合成像芯片及其制备方法，混合成像芯片包括半导体衬底和至少一个像素单元，每个像素单元包括微桥结构、电连接支撑柱及梁结构，微桥结构包括从上到下依次层叠布置的上介质层、第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层及下介质层，第二半导体层的厚度大于第一半导体层的厚度，第二半导体层的厚度大于第三半导体层的厚度，通过如此设置可减少噪声。
基本信息
专利标题 ：
面向医疗领域的半导体硅基的混合成像芯片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114050167A
申请号 ：
CN202210034379.2
公开（公告）日 ：
2022-02-15
申请日 ：
2022-01-13
授权号 ：
CN114050167B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
刘伟贾波何兵张杰
申请人 ：
中国人民解放军火箭军工程大学
申请人地址 ：
陕西省西安市灞桥区同心路2号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
孟秀娟
优先权 ：
CN202210034379.2
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 G01J5/20
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2022-03-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20220113
申请日 : 20220113
2022-02-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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