用于医疗成像的基于半导体COMS工艺的混合成像芯片
授权
摘要
本申请提供一种用于医疗成像的基于半导体COMS工艺的混合成像芯片，包括：在微桥面上设有从顶部到底部依次设置的P型半导体层、形变层以及红外吸收层，在P型半导体层内形成有晶体管对阵列，每个晶体管对包括P型半导体层的顶部区域设置的两个第一N型区域、底部区域设置的两个第二N型区域、两个第一N型区域的上方设置的第一栅介质层、两个第二N型区域的下方设置的第二栅介质层、第一栅电极、第二栅电极、第一源电极、第二源电极、第一漏电极以及第二漏电极，通过如此设置，灵敏度更高。
基本信息
专利标题 ：
用于医疗成像的基于半导体COMS工艺的混合成像芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114050166A
申请号 ：
CN202111624268.9
公开（公告）日 ：
2022-02-15
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
CN114050166B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
刘伟代琪贾波刘刚
申请人 ：
中国人民解放军火箭军工程大学
申请人地址 ：
陕西省西安市灞桥区同心路2号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
孟秀娟
优先权 ：
CN202111624268.9
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H04N5/374 A61B5/01 A61B5/00 G01J5/35
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2022-03-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-02-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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