面向医疗成像的半导体硅基的混合成像芯片及制备方法
授权
摘要
本申请提供一种面向医疗成像的半导体硅基的混合成像芯片及制备方法，包括：微桥结构、电连接支撑柱以及半导体衬底，其中，电连接支撑柱位于半导体衬底上，电连接支撑柱用于支撑微桥结构，并将微桥结构上的第一电信号引出到半导体衬底内，半导体衬底内设有P型区域和N型区域，且在P型区域与N型区域接触的部分形成PN结，P型区域和N型区域位于微桥结构的下方，在P型区域和N型区域的下方设有转换膜层，通过如此设置，可以提高混合成像芯片的灵敏度。
基本信息
专利标题 ：
面向医疗成像的半导体硅基的混合成像芯片及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114050168A
申请号 ：
CN202210034387.7
公开（公告）日 ：
2022-02-15
申请日 ：
2022-01-13
授权号 ：
CN114050168B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
刘伟刘刚何兵代琪
申请人 ：
中国人民解放军火箭军工程大学
申请人地址 ：
陕西省西安市灞桥区同心路2号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
孟秀娟
优先权 ：
CN202210034387.7
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H01L31/103 G01J5/20
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2022-03-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20220113
申请日 : 20220113
2022-02-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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