面向医疗应用的半导体硅基混合成像芯片及制备方法
授权
摘要
本申请提供一种面向医疗应用的半导体硅基混合成像芯片及制备方法，半导体衬底和第一像素单元，半导体衬底上设有第一可见光吸收区域，第一可见光吸收区域位于第一像素单元的下方，第一可见光吸收区域包括第一N型区、第二N型区、P型区、栅介质层以及栅电极层，第一N型区位于P型区的上方，且P型区和第一N型区相互接触，在P型区和第一N型区相接触的地方形成耗尽区，第二N型区与P型区并排布置，在P型区和第二N型区的下方设有栅介质层，栅介质层下方设有栅电极层，第一N型区、第二N型区、P型区、栅介质层以及栅电极层形成传输管，通过如此设置，可以降低功耗。
基本信息
专利标题 ：
面向医疗应用的半导体硅基混合成像芯片及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114122040A
申请号 ：
CN202210089057.8
公开（公告）日 ：
2022-03-01
申请日 ：
2022-01-26
授权号 ：
CN114122040B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
刘伟马特何兵刘刚
申请人 ：
中国人民解放军火箭军工程大学
申请人地址 ：
陕西省西安市灞桥区同心路2号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
孟秀娟
优先权 ：
CN202210089057.8
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 G01J5/48 G01J5/24
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2022-03-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20220126
申请日 : 20220126
2022-03-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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