一种基于聚乙烯醇的有机场效应晶体管存储器及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于聚乙烯醇的有机场效应晶体管存储器及其制备方法,该存储器的结构自上而下依次包括源漏电极、有机半导体层、电荷存储层、栅绝缘层以及作为衬底的栅电极;其中,所述电荷存储层与所述栅绝缘层之间还设置有疏水薄膜层;所述疏水薄膜层是将疏水薄膜溶液旋涂于栅绝缘层上制备的,所述疏水薄膜溶液为聚四氟乙烯分散于水形成;所述电荷存储层是将聚乙烯醇溶液旋涂于所述疏水薄膜层上制备的。本发明通过旋涂的方式,在硅片与聚乙烯醇薄膜中间引入聚四氟乙烯薄膜,隔绝了PVA与硅片间的氢键作用力,阻碍了表面偶极子的形成,且旋涂后的聚四氟乙烯作为一层疏水薄膜,极大的提高了上层PVA薄膜质量,改善了PVA薄膜形貌。
基本信息
专利标题 :
一种基于聚乙烯醇的有机场效应晶体管存储器及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114512606A
申请号 :
CN202210038652.9
公开(公告)日 :
2022-05-17
申请日 :
2022-01-13
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
仪明东孙珂李雯钱扬周钱浩文
申请人 :
南京邮电大学
申请人地址 :
江苏省南京市鼓楼区新模范马路66号
代理机构 :
南京经纬专利商标代理有限公司
代理人 :
曹翠珍
优先权 :
CN202210038652.9
主分类号 :
H01L51/10
IPC分类号 :
H01L51/10 H01L51/05 H01L51/40
法律状态
2022-06-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/10
申请日 : 20220113
申请日 : 20220113
2022-05-17 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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