一种CMOS芯片表面缺陷检测方法及系统
公开
摘要
本发明公开了一种CMOS芯片表面缺陷检测方法及系统，其中检测方法包括以下步骤：对待测产品图像数据中的影像区进行划分，形成多个检测区块；根据灰度值对每个所述检测区块分别进行二值化处理；根据二值化处理的结果提取每个所述检测区块中的缺陷；对所述缺陷进行像素和/或尺寸分析，进一步提取有效缺陷。通过本发明的方法可在CMOS芯片贴膜前准确、快速且稳定地检出产品表面上的脏污缺陷，对于图像整体的灰度一致性、均匀性要求降低，方便硬件光源一致性的安装调试，保证产品中局部区域灰度的一致性，且可兼容不同产品因材料、加工差异引起的整体灰度变化，对灰度对比差异较小的缺陷和细微的缺陷检测精度更高。
基本信息
专利标题 ：
一种CMOS芯片表面缺陷检测方法及系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114565558A
申请号 ：
CN202210054556.3
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-01-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李林林黄东超李晓燕
申请人 ：
合肥图迅电子科技有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市高新区望江西路800号动漫基地C4楼501室
代理机构 ：
北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张陆军
优先权 ：
CN202210054556.3
主分类号 ：
G06T7/00
IPC分类号 ：
G06T7/00 G06T7/11 G06T7/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06T
一般的图像数据处理或产生
G06T7/00
图像分析
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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