一种声表面滤波器组去耦封装结构
授权
摘要
本发明提出了一种声表面滤波器组去耦封装结构。所述封装结构包括金属封装底座、金属封装帽、接地金属片和金属壁；所述金属封装底座和所述金属封装帽密封键合连接；所述金属封装底座上方设置有所述声表面滤波器组的调谐基板；所述调谐基板上方设有所述声表面滤波器组；所述声表面滤波器组包括多个声表面滤波器芯片；所述调谐基板上表面设置有接地金属片；所述接地金属片用于将每个声表面滤波器芯片所在区域进行分隔；所述接地金属片上方设有金属壁，所述金属壁一端连接所述接地金属片，另一端连接所述金属封装帽；所述调谐基板内部设有内嵌金属导线；所述内嵌金属导线用于将所述声表面滤波器芯片和所述声表面滤波器的调谐电路设置区域进行电连接。
基本信息
专利标题 ：
一种声表面滤波器组去耦封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114094978A
申请号 ：
CN202210057088.5
公开（公告）日 ：
2022-02-25
申请日 ：
2022-01-19
授权号 ：
CN114094978B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
深圳新声半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区高新南一道中科大厦508
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210057088.5
主分类号 ：
H03H9/10
IPC分类号 ：
H03H9/10 H03H9/64
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2022-03-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03H 9/10
申请日 : 20220119
申请日 : 20220119
2022-02-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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