一种半透明晶圆及其曝光过程加工方法
实质审查的生效
摘要
本申请涉及一种半透明晶圆及其曝光过程加工方法，其方法包括在所述晶圆底部镀一层防反射薄膜。本申请不仅能够有效减少光线在晶圆底部向上反射，以解决半透明晶圆在曝光过程中因晶圆底部反射带来的一致性较差的问题。同时，由于本申请是在晶圆底部进行镀膜，所以能够保证防反射薄膜较好的膜厚均匀性以及较好的平整度，对镀膜工艺的要求较低，工艺也较为简单。
基本信息
专利标题 ：
一种半透明晶圆及其曝光过程加工方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114545740A
申请号 ：
CN202210086229.6
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
兰则超杨思川苗湘黄小东
申请人 ：
北京中科飞鸿科技股份有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区银桦路60号院7号楼5层101-1
代理机构 ：
北京维正专利代理有限公司
代理人 ：
郑雷
优先权 ：
CN202210086229.6
主分类号 ：
G03F7/09
IPC分类号 ：
G03F7/09
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/004
感光材料
G03F7/09
以细部结构为特征的，例如，基片层、辅助层
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/09
申请日 : 20220125
申请日 : 20220125
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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