本发明涉及用VPD机台提取晶片表面脏污的方法，包括使用VPD机台中的吸管吸取晶片表面的VPD萃取液的步骤，其特征在于还包括在吸管使用前和/或使用后用硝酸溶液进行清洗。本发明通过在提取晶片表面的脏污过程中，增加用硝酸溶液来清洗吸管的步骤，解决了在多次使用后吸管内Ca⁺累积的问题。并且，进一步的，采用硝酸溶液浸泡吸管可以避免吸管浸泡于水中后再次使用，发生的Ca⁺含量激增的问题。使得VPD机台在提取晶片表面的脏污，并在之后使用ICP‑MS或TXRF对VPD萃取液的成分分析更加准确，降低了提取过程对分析过程造成的干扰，准确真实反映晶片表面的金属等脏污含量。