一种去除CVD反应腔体内壁沉积膜的方法及装置
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种去除CVD反应腔体内壁沉积膜的方法及装置，该方法如下：使用高温高压水蒸汽冲击浸润该CVD反应腔体内壁沉积膜，水和CVD反应腔体表面与沉积膜界面处物质发生反应，导致沉积膜的脱落。该装置包括喷头，喷头用于伸入CVD反应腔体中，并朝向其内壁喷洒高压水蒸汽或者热水；还包括高温高压水蒸汽发生器，高温高压水蒸汽发生器与喷头通过管道连接，且管道的出口端与喷头通过弯度可调节金属接头可拆卸连接，以使喷头方向可调节；还包括罩体，罩体用于覆盖于CVD反应腔体的开口，罩体上开设有开孔，该开孔用于喷头穿入，罩体上设置有一排水管道。该方法及装置方便高效、且能有效避免清洗时将腔体刮伤。
基本信息
专利标题 ：
一种去除CVD反应腔体内壁沉积膜的方法及装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114540794A
申请号 ：
CN202210100388.7
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2017-04-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王宏兴
申请人 ：
西安德盟特半导体科技有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区高新一路18号海归楼4层1896创客空间4169号
代理机构 ：
北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司
代理人 ：
李宁
优先权 ：
CN202210100388.7
主分类号 ：
C23C16/44
IPC分类号 ：
C23C16/44
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/44
申请日 : 20170414
申请日 : 20170414
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
