一种用于ESD的新型双雪崩NMOS器件
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种用于ESD的新型双雪崩NMOS器件，属于电子科学与技术领域。该器件包括漏极NSD注入、源极NSD注入、Bulk电位PSD注入、NW漂移区、Pbody区、栅氧化层、多晶硅栅极、阳极金属线、阴极金属线、第一浮空NSD区、第二浮空NSD区和短路金属线。本发明通过引入两个相互短接的浮空NSD区域，对器件第一次触发后的电子电流进行主动聚集，其结果是除了在原本的漏极NSD和N漂移区交界处形成雪崩电场外在另一个浮空NSD侧也会形成一个雪崩区域，这样该器件在进行放电时就是一个双雪崩状态，该状态能够使得NMOS形成独特的双回扫特性曲线，该特性十分适用于高压端口的ESD防护。
基本信息
专利标题 ：
一种用于ESD的新型双雪崩NMOS器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446949A
申请号 ：
CN202210107119.3
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2022-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
齐钊刘超李泽宏唐鹤
申请人 ：
电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
申请人地址 ：
重庆市沙坪坝区西永微电园研发楼三期1号楼3单元
代理机构 ：
北京同恒源知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵荣之
优先权 ：
CN202210107119.3
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20220128
申请日 : 20220128
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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