一种栅控雪崩触发结构及半导体脉冲功率器件
公开
摘要
本发明公开了一种栅控雪崩触发结构，自下而上依次包括阴极金属、衬底、外延层、阳极金属以及栅金属；其中，外延层内部设有第一掺杂区和第二掺杂区；第一掺杂区起始于外延层的上表面并向下延伸至外延层的下表面；第二掺杂区起始于左侧的外延层上表面并向下延伸至外延层内部，同时留出一部分外延层做为漂移区；阳极金属位于第二掺杂区上方；栅金属位于第一掺杂区和第二掺杂区之间的外延层上方，且栅金属与外延层之间还设有栅极和栅介质层。本发明提供的栅控雪崩触发结构通过采用外加栅压的方式使器件发生雪崩，产生等离子体使其快速导通；该结构可将触发信号与工作电流分离，减小了驱动电路设计的复杂程度。
基本信息
专利标题 ：
一种栅控雪崩触发结构及半导体脉冲功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300534A
申请号 ：
CN202111369503.2
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-11-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
汤晓燕郭登耀宋庆文张玉明
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路2号
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王萌
优先权 ：
CN202111369503.2
主分类号 ：
H01L29/73
IPC分类号 ：
H01L29/73 H01L29/06
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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