本发明公开了电子级多晶硅CVD炉内破碎方法和装置，所述方法包括：(1)在CVD炉内的硅棒生长完成后，关闭原料进口和尾气出口，向炉内吹扫保护气体，以便对所述硅棒降温；(2)当所述硅棒的温度降至600‑800℃时，加速向炉内吹扫保护气体，以便对所述硅棒快速降温；(3)当所述硅棒的温度降至60℃以下时，停止吹扫保护气体，将底座套筒板分别与炉筒和底座套筒解除固定；(4)将所述炉筒吊起，旋转所述底座套筒板，将所述硅棒切倒，以便使所述硅棒倒在所述底座套筒板上破碎。本发明减少生产能耗，减少了生产工序，提高生产节拍，避免产品污染问题，提高产品质量。