半导体存储装置及半导体存储装置的控制方法
实质审查的生效
摘要
本发明的实施方式提供一种能够提高处理能力的半导体存储装置及半导体存储装置的控制方法。实施方式的半导体存储装置包含多个第1存储单元(MT)、字线(WL)及控制电路(17)。控制电路(17)在第1模式的第1编程循环中，在对字线施加了第1电压(VSV)而执行第1编程后，一边使施加到字线(WL)的第2电压(VCG_SV)升压，一边重复进行第1验证，直到第1存储单元的断开单元数成为阈值以下为止，基于第1电压(VSV)与重复进行第1验证的次数来决定第3电压(VPGM_SV)，在第2模式的第1次的第2编程循环中，对字线(WL)施加第3电压(VPGM_SV)而执行第2编程。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储装置及半导体存储装置的控制方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464236A
申请号 ：
CN202210140421.9
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2017-08-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
永尾理
申请人 ：
铠侠股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
杨林勳
优先权 ：
CN202210140421.9
主分类号 ：
G11C16/08
IPC分类号 ：
G11C16/08 G11C16/10 G11C16/26 H01L27/11565 H01L27/11573 H01L27/11578
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
G11C16/08
地址电路；译码器；字线控制电路
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 16/08
申请日 : 20170802
申请日 : 20170802
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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