本申请的实施方式提供了一种形成字线连接区的方法、半导体结构、存储器及存储系统。形成字线连接区的方法包括：形成第一堆叠结构，第一堆叠结构包括通过堆叠栅极牺牲层和层间绝缘层形成的多个第一堆叠层；在第一堆叠结构表面上形成图形化的掩膜层，图形化的掩膜层中具有暴露出第一堆叠结构表面的多个开口，在垂直于所述第一堆叠结构的堆叠方向的平面上，至少两个开口的截面尺寸不同；通过多个开口在第一堆叠结构中形成多个接触孔，每个接触孔分别到达各自预定深度的栅极牺牲层；以及在每个接触孔中分别形成导电接触部。本申请的实施方式提供的形成字线连接区的方法可提高半导体结构的良率。