紫外线发光二极管
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种紫外线发光二极管。根据一实施例的紫外线发光二极管包括：基板；n型半导体层，位于基板上；台面，布置于n型半导体层上，并包含活性层及p型半导体层；n欧姆接触层，接触于n型半导体层；p欧姆接触层，接触于p型半导体层；n凸块，电连接于n欧姆接触层；以及p凸块，电连接于p欧姆接触层，其中，台面包括多个分支，n欧姆接触层包围台面并夹设于分支之间的区域，n欧姆接触层与台面之间的隔开距离恒定，暴露于分支之间的n型半导体层的最小宽度大于或等于分支的最小宽度，n凸块及p凸块分别覆盖台面的上部及侧表面，p凸块覆盖分支中的至少两个分支。
基本信息
专利标题 ：
紫外线发光二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464716A
申请号 ：
CN202210171852.1
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2017-07-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朴柱勇张成逵李圭浩李俊熙
申请人 ：
首尔伟傲世有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道安山市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
姜长星
优先权 ：
CN202210171852.1
主分类号 ：
H01L33/38
IPC分类号 ：
H01L33/38 H01L33/46 H01L33/62
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/38
申请日 : 20170707
申请日 : 20170707
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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