一种LED芯片的制备方法及所得LED芯片
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种LED芯片的制备方法，包括以下步骤：在衬底上依次生长ALN层、第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层；依次蚀刻贯穿第二型半导体层、多量子阱层以及部分第一型半导体层形成台阶结构；在台阶上沉积保护层；腐蚀保护层后在裸露的第一型半导体层上生长N型第一接触层；然后形成N型第二接触层；在第二型半导体层上形成与保护层并列设置的接触反射层；在N型第二接触层和接触反射层上分别形成第一电极加厚层，在第一电极加厚层上继续形成第二电极加厚层；沉积绝缘层；腐蚀绝缘层至第二电极加厚层分别形成N凹槽和P凹槽；在N凹槽中设置N电极，在P凹槽中设置P电极，得到LED芯片。
基本信息
专利标题 ：
一种LED芯片的制备方法及所得LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551683A
申请号 ：
CN202210186828.5
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周智斌季辉汪延明
申请人 ：
湘能华磊光电股份有限公司
申请人地址 ：
湖南省郴州市白露塘有色金属产业园
代理机构 ：
长沙七源专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周晓艳
优先权 ：
CN202210186828.5
主分类号 ：
H01L33/40
IPC分类号 ：
H01L33/40 H01L33/44
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/40
申请日 : 20220228
申请日 : 20220228
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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