一种制备高性能铝基复合材料散热基板的方法
公开
摘要
一种制备高性能铝基复合材料散热基板的方法，包括加工设备，加工设备的具体结构为：包括真空加热炉，所述真空加热炉内放置钢制坩埚，所述钢制坩埚内底面设置有强氧化剂，所述强氧化剂和钢制坩埚的上表面同时放置成形模具，成形模具上表面放置铝块，所述真空加热炉一端通过管路连接真空泵，另一端通过管路连接氮气罐；采用压力浸渗法，形成了具有更高致密度的铝基陶瓷复合材料，铝基陶瓷复合材料由一种金属基体和非金属增强相构成，其中铝为金属基体，非金属增强相可为金刚石、石墨烯等，以金刚石为例，本工艺通过高压浸渗，使铝液填充在金刚石颗粒的空隙间。
基本信息
专利标题 ：
一种制备高性能铝基复合材料散热基板的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582730A
申请号 ：
CN202210188318.1
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
傅蔡安傅菂李成力
申请人 ：
江南大学
申请人地址 ：
江苏省无锡市梁溪区通沙路898号南楼七层
代理机构 ：
无锡华源专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
严梅芳
优先权 ：
CN202210188318.1
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 C22C1/10 C22C1/02 B22D7/00 B22D19/00 B22D27/11 B22D27/20 C22C21/00 C22C26/00 B22D21/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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