一种用于集成电路生产的单晶炉
公开
摘要
本发明涉及半导体生产技术领域，且公开了一种用于集成电路生产的单晶炉，炉体内部的顶端位置活动套接有导流筒，炉体内部的底端固定安装有支撑板，支撑板两侧的套孔内部活动套接有螺旋筒，支撑板顶面中部活动安装有顶部与石墨坩埚底面固定连接的支撑转柱，导流筒的顶部呈环状均匀开设有进气孔，导流筒内壁靠近导气口一侧开设有与进气孔连通的喇叭口，炉体内壁位于导流筒顶部位置固定安装有定位环，导流筒内部开设有与进气孔、喇叭口连通的L型液压孔，支撑板顶面中部开设有与支撑转柱活动套接的限位槽，该单晶炉通过对导流筒的改进以及支撑板的设计，大大提高了硅棒拉出时的稳定性，保证了成型质量。
基本信息
专利标题 ：
一种用于集成电路生产的单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114592235A
申请号 ：
CN202210206508.1
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-03-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李伯华张军驰于向前
申请人 ：
徐州康信软件技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市铜山区长江西路66号
代理机构 ：
北京淮海知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王波
优先权 ：
CN202210206508.1
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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