一种氧化物半导体生物传感器、制作方法及使用方法
公开
摘要
本发明公开了一种氧化物半导体生物传感器、制作方法及使用方法，涉及半导体器件在生物检测中的应用技术。针对现有电解质栅薄膜晶体管型生物传感器技术中，电场作用下电解质溶液中的离子会通过电化学作用侵蚀有源层而导致器件性能不稳定的问题提出本方案。主要在于与电解质溶液直接接触的半导体有源层是化学稳定的单晶半导体。优点在于避免因晶界产生侵蚀导致的器件性能劣化问题，提高EGTFT传感器件性能的稳定性，对推进半导体场效应晶体管型生物传感器件的实际应用具有重要意义。
基本信息
专利标题 ：
一种氧化物半导体生物传感器、制作方法及使用方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114609221A
申请号 ：
CN202210225225.1
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
裴艳丽容浩峰陈梓敏卢星王钢
申请人 ：
中山大学
申请人地址 ：
广东省广州市新港西路135号
代理机构 ：
广州海心联合专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
冼俊鹏
优先权 ：
CN202210225225.1
主分类号 ：
G01N27/414
IPC分类号 ：
G01N27/414 B82Y15/00 B82Y40/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/18
••••由于被试环境物质的热传导变化引起的电阻
G01N27/26
通过测试电化学变量；用电解或电泳法
G01N27/403
电池和电极组件
G01N27/414
对离子敏感的场效应晶体管或化学场效应晶体管，即ISFETS或CHEMFETS
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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