一种N掺杂二氧化钛基忆阻器及其制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种N掺杂二氧化钛基忆阻器及其制备方法，包括上电极、功能材料层和下电极，以FTO导电玻璃为下电极，在下电极上生长N‑TiO2功能材料层，然后在N‑TiO2功能材料层上溅射金电极。本方法制备过程简单，成本低廉，制备得到的器件表现出忆阻特性且性能良好。
基本信息
专利标题 ：
一种N掺杂二氧化钛基忆阻器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597308A
申请号 ：
CN202210232413.7
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-03-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张志勇郭晨陈诚赵武闫军锋翟春雪
申请人 ：
西北大学
申请人地址 ：
陕西省西安市长安区郭杜镇学府大道一号
代理机构 ：
西安通大专利代理有限责任公司
代理人 ：
高博
优先权 ：
CN202210232413.7
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
