一种自动温度控制功率芯片结构及制备方法
授权
摘要
本发明涉及一种自动温度控制功率芯片结构及制备方法，属于功率电子器件封装技术领域，利用半导体珀尔帖效应在绝缘栅双极型晶体管底面通过定向掺杂形成阵列式P‑N热电偶结构，通过给阵列式P‑N热电偶结构施加反向电压，当热电偶通入直流电流时，根据直流电通入的方向不同，会在电偶的结点处产生吸热和放热反应。从而保持芯片功能区温度保持较低温度，同时因为阵列结构，能够精确控制芯片温度均匀性，实现芯片分区控温，增强芯片直接散热和均热能力。
基本信息
专利标题 ：
一种自动温度控制功率芯片结构及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334867A
申请号 ：
CN202210248907.4
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-03-15
授权号 ：
CN114334867B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
周洋马坤宋一凡孙亚萌
申请人 ：
合肥阿基米德电子科技有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期F1栋1901
代理机构 ：
北京高沃律师事务所
代理人 ：
王爱涛
优先权 ：
CN202210248907.4
主分类号 ：
H01L23/38
IPC分类号 ：
H01L23/38 H01L29/739 H01L21/331
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/38
应用Peltier效应的冷却装置
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/38
申请日 : 20220315
申请日 : 20220315
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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