一种导模法生长β相氧化镓单晶的原料处理方法
公开
摘要
本发明公开了一种导模法生长β相氧化镓单晶的原料处理方法。步骤是：1、称取Ga2O3多晶粉料放入装有带缝模具的坩埚中；2、将坩埚放入生长炉中并安装籽晶；3、抽真空后充入CO2气体，进行两次升温；4、缓慢降低籽晶，待籽晶底部熔化后，向上提拉籽晶，并且降温，生长β相氧化镓多晶；5、待生长完毕，将晶体提拉出至模具上方，对炉体进行降温；6、将炉内CO2气体放出至常压，取出β相氧化镓多晶；7、将β相氧化镓多晶料放入单晶生长坩埚中，进行β相氧化镓单晶生长。采用本发明后消除了大量空洞，提高了晶体质量；增加了单晶可利用率，每炉次成本降低了10%~20%；单晶成品率提高了10%~15%。
基本信息
专利标题 ：
一种导模法生长β相氧化镓单晶的原料处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114574966A
申请号 ：
CN202210483060.8
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-05-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
霍晓青张胜男王英民王健王新月周传新张弛秦广阔
申请人 ：
中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请人地址 ：
天津市河西区洞庭路26号
代理机构 ：
天津中环专利商标代理有限公司
代理人 ：
王凤英
优先权 ：
CN202210483060.8
主分类号 ：
C30B29/16
IPC分类号 ：
C30B29/16 C30B15/34
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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