微电子线路用陶瓷基片的制作方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
提供一种密集集成半导体阵列用陶瓷基片，它在热膨胀系数、介电常数、金属化结合强度和机械强度方面极为优越。它由一种烧结体构成，这种烧结体主要包含莫来石晶体和由SiO2、Al2O3、MgO组成的非晶态助烧结剂。
基本信息
专利标题 ：
微电子线路用陶瓷基片的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86102992A
申请号 ：
CN86102992.5
公开（公告）日 ：
1986-11-05
申请日 ：
1986-03-28
授权号 ：
CN1005369B
授权日 ：
1989-10-04
发明人 ：
户田尧三黑木桥石原昌作谏田尚哉藤田毅
申请人 ：
株式会社日立制作所
申请人地址 ：
日本东京都千代田区神田骏河台四丁目6番
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
萧掬昌
优先权 ：
CN86102992.5
主分类号 ：
C04B35/16
IPC分类号 ：
C04B35/16
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/01
以氧化物为基料的
C04B35/16
以黏土之外的硅酸盐为基料的
法律状态
2000-05-24 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1990-07-04 ：
授权
1989-10-04 ：
审定
1986-11-05 ：
公开
1986-09-24 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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