光电转换器件的制造方法
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
通过在制造光电变换器件的最后步骤中对转换器件进行修整处理，从而可在高生产率下生产光电转换器件，在半导体层的形成过程中所产生的短路电流通道可通过向该半导体层施加反向电压而消除之，然后将之加热并使之成为绝缘体。在消除短路电流通道后，即使在8伏特的反向电压下，其反向电流也不会再超过15毫安培。
基本信息
专利标题 ：
光电转换器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87100588A
申请号 ：
CN87100588.3
公开（公告）日 ：
1987-08-19
申请日 ：
1987-02-02
授权号 ：
CN1008580B
授权日 ：
1990-06-27
发明人 ：
铃木邦夫小林一平柴田克彦薄田真人金花美树雄深田武永山进阿部雅芳山崎舜平
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县厚木市
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
林长安
优先权 ：
CN87100588.3
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/04
法律状态
2007-10-10 ：
专利权的终止专利权有效期届满
2002-03-20 ：
其他有关事项
1991-03-13 ：
授权
1990-06-27 ：
审定
1989-07-19 ：
实质审查请求
1987-08-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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