光电转换器件及其制造方法、以及半导体器件

专利权的终止

摘要

本发明的目的是提供一种具有可以抑制静电放电损害的结构的光传感器。通常，在光接收区的整个表面上形成透明电极，然而，在本发明中，不形成透明电极，而是将光电转换层中的p型半导体层和n型半导体层用作电极。因此，在根据本发明的光传感器中，电阻增加且可以抑制静电放电损害。此外，将用作电极的p型半导体层和n型半导体层的位置分离开，且由此，增加电阻并且可以提高耐压。

基本信息

专利标题：

光电转换器件及其制造方法、以及半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN102176488A

申请号：

CN201110080669.2

公开（公告）日：

2011-09-07

申请日：

2006-02-17

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

西和夫菅原裕辅高桥宽畅荒尾达也

申请人：

株式会社半导体能源研究所

申请人地址：

日本神奈川县厚木市

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

张亚宁

优先权：

CN201110080669.2

主分类号：

H01L31/113

IPC分类号：

H01L31/113 H01L27/146

法律状态

2019-02-01 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 31/113
申请日 : 20060217
授权公告日 : 20130403
终止日期 : 20180217

2013-04-03 ：

授权

2011-11-16 ：

实质审查的生效

号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101131516347
IPC(主分类) : H01L 31/113
专利申请号 : 2011100806692
申请日 : 20060217

2011-09-07 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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