在硅或砷化镓基底上制备反射防止膜的方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明涉及一种含有氧化钛和氧化锆的蒸镀用的氧化钇组成物，及用这种组成物作为蒸镀材料制造用于如硅或GaAs那样的III-V族化合物半导体用的反射防止膜，该反射防止膜能使被蒸镀物上的表面反射率几乎为零。而且，由于时效变化小，动作时间可以延长。
基本信息
专利标题 ：
在硅或砷化镓基底上制备反射防止膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87107819A
申请号 ：
CN87107819.8
公开（公告）日 ：
1988-08-17
申请日 ：
1987-11-12
授权号 ：
CN1017164B
授权日 ：
1992-06-24
发明人 ：
坪井俊吾
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
上海专利事务所
代理人 ：
王丽川
优先权 ：
CN87107819.8
主分类号 ：
C23C14/08
IPC分类号 ：
C23C14/08 G02B1/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/06
以镀层材料为特征的
C23C14/08
氧化物
法律状态
1996-12-25 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-02-10 ：
授权
1992-06-24 ：
审定
1988-08-17 ：
公开
1988-04-27 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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