一种除去沉积在化学气相沉积反应器反应室内的不须要的碳产物...
专利权的终止(专利权有效期届满)
摘要
本发明涉及沉积碳膜后对化学气相反应器内壁的清理。当结晶的碳或类似金刚石的碳在反应室内形成时，在反应室内有不希望的沉积物。利用氧气或氧化合物气体而不是利用对反应器内壁有损坏作用的氟或氯化合物气体，通过侵蚀，将粘性的碳沉积除去。
基本信息
专利标题 ：
一种除去沉积在化学气相沉积反应器反应室内的不须要的碳产物的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN88101465A
申请号 ：
CN88101465.6
公开（公告）日 ：
1988-10-05
申请日 ：
1988-02-24
授权号 ：
CN1016972B
授权日 ：
1992-06-10
发明人 ：
山崎舜平
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
杨丽琴
优先权 ：
CN88101465.6
主分类号 ：
C23G5/00
IPC分类号 ：
C23G5/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23G
电解法除外的化学法金属材料清洗及除油
C23G5/00
金属材料用其他方法清洗或除油；金属材料用有机溶剂清洗或除油的设备
法律状态
2009-02-11 ：
专利权的终止(专利权有效期届满)
2002-04-24 ：
其他有关事项
1993-03-17 ：
授权
1992-06-10 ：
审定
1990-06-20 ：
实质审查请求
1988-10-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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